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Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/4605

Title: 具有不同Γ-閘極偏移結構金屬-氧化物-半導體砷化鋁鎵/砷化銦鎵擬晶式高電子遷移率電晶體之研製
Other Titles: Investigations of AlGaAs/InGaAsMOS-HEMTs with Different Shifted Γ-Gate Structures
Authors: 蔡, 亦哲
鐘, 維新
吳, 婷婷
黃, 馨儀
陳, 冠鳴
Keywords: Γ-閘極
金屬-氧化物-半導體閘極
高電子遷移率電晶體
Γ-gate MOS-HEMT
Issue Date: 2013
Abstract: 本專題係利用臭氧水處理砷化鋁鎵/砷化銦鎵異質結構形成金屬-氧化物-半導體閘極結構之場效電晶體,並研製一應用Γ-閘極製程技術於砷化鋁鎵/砷化銦鎵異質結構場效電晶體,以同時獲致有效縮短閘極長度、表面鈍化處理與形成一場極板結構之優異特性。在閘極長度為1.2 μm 砷化鋁鎵蕭特基接觸層上沉積100Å的氧化層,並形成一Γ-閘極結構樣本B(樣本C)有效縮短閘極長度為0.8 (0.6) μm 及一長度為0.4 (0.6) μm 之場極板結構之探討。使用傳統(樣本A)與不同Γ-閘極尺寸之砷化鋁鎵/砷化銦鎵異質結構場效電晶體(樣本B/樣本C)之直流和微波特性分別為:最大飽和電流密度IDSS, max (331mA/mm、339 mA/mm及350 mA/mm),最大轉導值gm,max (115 mS/mm、129mS/mm及137 mS/mm),電流增益截止頻率fT (10.9 GHz、13.3 GHz及14.4 GHz)、最大震盪頻率fmax (19.3 GHz、26.8 GHz及35.3 GHz),最小雜訊NFmin 在2.4GHz/ 5.8 GHz分別為 (1.5/ 3.1 dB、1.1/ 2.4 dB及0.9/ 2.1 dB),附加功率效率P.A.E.在2.4 GHz/ 5.8GHz分別為 (24.2/ 16.2 %、31.7/ 26.5 %及35/ 28 %)。實驗結果顯示,使用Γ-閘極結構之砷化鋁鎵/砷化銦鎵異質結構場效體可有效改善電流密度及輸出功率等特性。
URI: http://hdl.handle.net/123456789/4605
Source URI: http://dspace.lib.fcu.edu.tw/handle/2377/31375
Source Fulltext: http://dspace.lib.fcu.edu.tw/bitstream/2377/31375/1/D9871525101201.pdf
Appears in Collections:College of Information and Electrical Engineering 資訊電機學院

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